2SA1532TX

更新时间： 2024-11-24 13:04:07

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松下 - PANASONIC		/
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描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2SA1532TX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1532TX 数据手册

Transistor

2SA1532

Silicon PNP epitaxial planer type

For high-frequency amplification

Complementary to 2SC3930

Unit: mm

2.1±0.1

0.425

1.25±0.1

0.425

Features

High transition frequency f_T.

■

●

S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

–30

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–20

0.2±0.1

–5

–30

˚C

1:Base

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

2:Emitter

3:Collector

EIAJ:SC–70

S–Mini Type Package

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Marking symbol : E

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

I_CEO

I_EBO

Conditions

min

typ

max

– 0.1

–100

–10

Unit

µA

V_CB= –10V, I_E= 0

Collector cutoff current

V_CE= –20V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Emitter cutoff current

µA

Forward current transfer ratio

Transition frequency

h_FE

_CE= –10V, I_C= –1mA

220

f_T

V_CB= –10V, I_E= 1mA, f = 200MHz

I_C= –10mA, I_B= –1mA

150

300

– 0.1

– 0.7

2.8

MHz

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter voltage

Noise figure

V_BE

Z_rb

V_CE= –10V, I_C= –1mA

V_CB= –10V, I_E= 1mA, f = 5MHz

V_CB= –10V, I_E= 1mA, f = 2MHz

4.0

Ω

Reverse transfer impedance

Common emitter reverse transfer

capacitance

V_CE= –10V, I_C= –1mA

C_re

1.2

2.0

f = 10.7MHz

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

70 ~ 140

110 ~ 220

Marking Symbol

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1533	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1533Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92VAR
2SA1533R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-92VAR
2SA1534	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1534/2SA1534A	ETC	获取价格	2SA1534. 2SA1534A - PNP Transistor
2SA1534A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1534AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92
2SA1534AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92
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2SA1534Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92

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