2SA1535A

更新时间： 2024-11-23 22:34:39

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管
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2页	49K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA1535A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	180 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1535A 数据手册

Power Transistors

2SA1535, 2SA1535A

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency driver and high power amplification

Complementary to 2SC3944 and 2SC3944A

Unit: mm

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

2.7±0.2

Features

■

●

Satisfactory foward current transfer ratio h_FEvs. collector cur-

rent I_Ccharacteristics

φ3.1±0.1

●

High transition frequency f_T

●

Makes up a complementary pair with 2SC3944 and 2SC3944A,

which is optimum for the driver-stage of a 60 to 100W output

amplifier.

1.3±0.2

1.4±0.1

+0.2

–0.1

0.5

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

0.8±0.1

Parameter

Symbol

Ratings

–150

–180

–150

–180

–5

Unit

2.54±0.25

Collector to

base voltage

Collector to

2SA1535

V_CBO

5.08±0.5

2SA1535A

2SA1535

1:Base

2:Collector

3:Emitter

V_CEO

emitter voltage 2SA1535A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

TO–220 Full Pack Package(a)

–1.5

I_C

–1

T_C=25°C

Ta=25°C

Collector power

dissipation

P_C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

Collector to emitter

voltage

_CB= –150V, I_E= 0

–10

µA

2SA1535

2SA1535A

I_C= –1mA, I_B= 0

–150

–180

–5

V_CEO

I_C= –100µA, I_B= 0

Emitter to base voltage

V_EBO

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= –10V, I_C= –150mA

V_CE= –5V, I_C= –500mA

I_C= –500mA, I_B= –50mA

V_CE= –10V, I_C= –50mA, f = 10MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

160

100

– 0.5

–1.0

200

220

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

–2.0

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

90 to 155

130 to 220

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