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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SA1535
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2SA1535

更新时间： 2024-11-23 22:52:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA1535 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.77
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SA1535 数据手册

 浏览型号2SA1535的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SA1535, 2SA1535A  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low-frequency driver and high power amplification  
Complementary to 2SC3944 and 2SC3944A  
Unit: mm  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
2.7±0.2  
Features  
■
●
Satisfactory foward current transfer ratio hFE vs. collector cur-  
rent IC characteristics  
φ3.1±0.1  
●
High transition frequency fT  
●
Makes up a complementary pair with 2SC3944 and 2SC3944A,  
which is optimum for the driver-stage of a 60 to 100W output  
amplifier.  
1.3±0.2  
1.4±0.1  
+0.2  
–0.1  
0.5  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
0.8±0.1  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
–150  
–180  
–150  
–180  
–5  
Unit  
2.54±0.25  
Collector to  
base voltage  
Collector to  
2SA1535  
VCBO  
V
5.08±0.5  
2SA1535A  
2SA1535  
1
2
3
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
VCEO  
V
emitter voltage 2SA1535A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
VEBO  
ICP  
V
A
A
TO–220 Full Pack Package(a)  
–1.5  
IC  
–1  
TC=25°C  
Ta=25°C  
Collector power  
dissipation  
15  
PC  
W
2.0  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
Collector cutoff current  
Collector to emitter  
voltage  
V
CB = –150V, IE = 0  
–10  
µA  
2SA1535  
2SA1535  
2SA1535A  
IC = –1mA, IB = 0  
–150  
–180  
–5  
VCEO  
V
V
IC = –100µA, IB = 0  
Emitter to base voltage  
VEBO  
IE = –10µA, IC = 0  
hFE1  
hFE2  
*
VCE = –10V, IC = –150mA  
VCE = –5V, IC = –500mA  
IC = –500mA, IB = –50mA  
IC = –500mA, IB = –50mA  
VCE = –10V, IC = –50mA, f = 10MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
90  
160  
100  
– 0.5  
–1.0  
200  
30  
220  
Forward current transfer ratio  
50  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
–2.0  
–2.0  
V
V
Transition frequency  
fT  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
50  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
R
90 to 155  
130 to 220  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1535/2SA1535A ETC

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2SA1535A PANASONIC

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