2SA1381DSTU

更新时间： 2024-02-21 06:22:58

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
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6页	169K
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PNP Epitaxial Silicon Transistor

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2SA1381DSTU 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.32
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1381DSTU 数据手册

March 2008

2SA1381/KSA1381

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Applications

•

Audio, Voltage Amplifier and Current Source

CRT Display, Video Output

General Purpose Amplifier

Features

•

High Voltage : V_CEO= -300V

Low Reverse Transfer Capacitance : C_re= 2.3pF at V_CB= -30V

Excellent Gain Linearity for low THD

High Frequency: 150MHz

Full thermal and electrical Spice models are available

Complement to 2SC3503/KSC3503

TO-126

1. Emitter 2.Collector 3.Base

Absolute Maximum Ratings*

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

-300

Units

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current(DC)

Collector Current(Pulse)

-300

-5

-100

I_CP

-200

P_C

Total Device Dissipation, T_C=25°C

T_C=125°C

1.2

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature

- 55 ~ +150

°C

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics* T =25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Max.

Units

R_θJC

Thermal Resistance, Junction to Case

17.8

°C/W

* Device mounted on minimum pad size

Classification

h_FE

40 ~ 80

60 ~ 120

100 ~ 200

160 ~ 320

2SA1381/KSA1381 Rev. A1

www.fairchildsemi.com

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与2SA1381DSTU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1381D-YA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 300V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-126	获取价格
2SA1381E-CD	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E-LS	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E-RA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E-SA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格