2SA1381DSTU

更新时间： 2024-01-02 05:20:01

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	169K
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PNP Epitaxial Silicon Transistor

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2SA1381DSTU 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.32
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1381DSTU 数据手册

Typical Characteristics (Continued)

100

I_E=0

f=1MHz

0.1

-0.1

-1

-10

-100

-1000

-0.1

-1

-10

-100

-1000

V_CB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE

Figure 7. Collector Output Capacitance

Figure 8. Reverse Transfer Capacitance

1000

I_CMAX. (Pulse)

I_CMAX.

100

T_c=25^oC

1ms

10ms

T_C=125^oC

100

1000

100

125

150

175

T[^oC], TEMPERATURE

V_CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

Figure 9. Safe Operating Area

Figure 10. Power Derating

2SA1381/KSA1381 Rev. A1

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1381D-YA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 300V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-126	获取价格
2SA1381E-CD	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E-LS	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E-RA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
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