2SA1381DSTU

更新时间： 2024-01-30 09:45:40

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	169K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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2SA1381DSTU 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.32
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1381DSTU 数据手册

Electrical Characteristics* T_a=25°C unless otherwise noted

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Parameter

Collector-Base Breakdown Voltage

Collecto- Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Test Condition

I_C= - 10µA, I_E= 0

Min. Typ. Max. Units

- 300

- 5

I_C= - 1mA, I_B= 0

I_E= - 10µA, I_C= 0

V_CB= - 200V, I_E= 0

V_EB= - 4V, I_C= 0

- 0.1

320

- 0.6

- 1

µA

I_EBO

Emitter Cut-off Current

h_FE

DC Current Gain

V_CE= - 10V, I_C= - 10mA

I_C= - 20mA, I_B= - 2mA

V_CE= - 30V, I_C= - 10mA

V_CB= - 30V, f = 1MHz

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

150

3.1

2.3

MHz

C_ob

C_re

Reverse Transfer Capacitance

* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%

Ordering Information

Part Number*

2SA1381CSTU

2SA1381DSTU

2SA1381ESTU

2SA1381FSTU

KSA1381CSTU

KSA1381DSTU

KSA1381ESTU

KSA1381FSTU

Marking

2SA1381C

2SA1381D

2SA1381E

2SA1381F

A1381C

Package

TO-126

Packing Method

TUBE

Remarks

hFE1 C grade

hFE1 D grade

hFE1 E grade

hFE1 F grade

hFE1 C grade

hFE1 D grade

hFE1 E grade

hFE1 F grade

TUBE

A1381D

TUBE

A1381E

TUBE

A1381F

TUBE

* 1. Affix “-S-” means the standard TO126 Package.(see package dimensions). If the affix is ”-STS-” instead of “-S-”, that mean the short-lead TO126 package.

2. Suffix “-TU” means the tube packing, The Suffix “TU” could be replaced to other suffix character as packing method.

2SA1381/KSA1381 Rev. A1

www.fairchildsemi.com

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与2SA1381DSTU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1381D-YA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 300V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-126	获取价格
2SA1381E-CD	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E-LS	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E-RA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E-SA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格