5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1381-SA | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
|
| 2SA1381-YA | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
|
| 2SA1382 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS |
|
| 2SA1382(TPE6) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),TO-92VAR |
|
| 2SA1382_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Amplifier Applications High-Speed Switching Applications |
|
| 2SA1383 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1383 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1383 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1383Q | ISC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SA1384 | TYSEMI |
获取价格 |
High Voltage: VCBO = -300V , VCEO = -300V Complementary to 2SC3515 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
