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2SA1384-Y

更新时间： 2024-10-30 21:10:07

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	238K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-5K1A, SC-62, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1384-Y 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1384-Y 数据手册

2SA1384

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type (PCT process)

2SA1384

High Voltage Control Applications

Unit: mm

Plasma Display, Nixie Tube Driver Applications

Cathode Ray Tube Brightness Control Applications

•

High voltage: V

CBO

= −300 V, V

= −300 V

CEO

Low saturation voltage: V

CE (sat)

= −0.5 V (max)

Small collector output capacitance: C = 6 pF (typ.)

Complementary to 2SC3515

Small flat package

= 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−300

−8

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

PW-MINI

JEDEC

―

−100

−20

JEITA

SC-62

2-5K1A

Base current

500

TOSHIBA

Collector power dissipation

Weight: 0.05 g (typ.)

1000

(Note 1)

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

stg

−55 to 150

Note 1: 2SA1384 mounted on a ceramic substrate (250 mm²× 0.8 t)

Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2006-11-09

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1385	NEC	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3
2SA1385K	ETC	获取价格	BJT
2SA1385K-Z	RENESAS	获取价格	2SA1385K-Z
2SA1385K-Z-AZ	RENESAS	获取价格	2SA1385K-Z-AZ
2SA1385K-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SA1385K-Z-E1-AZ
2SA1385K-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SA1385K-Z-E2-AZ
2SA1385L	ETC	获取价格	BJT
2SA1385L-Z	RENESAS	获取价格	2SA1385L-Z
2SA1385L-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SA1385L-Z-E1-AZ
2SA1385L-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SA1385L-Z-E2-AZ

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