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2SA1384OTE12L

更新时间: 2024-11-21 14:46:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

2SA1384OTE12L 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.72
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:8 pF集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

2SA1384OTE12L 数据手册

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