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2SA1385-Z

更新时间： 2024-02-27 20:41:12

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
1页	56K
描述
Low VCE(sat):VCE(sat)=-0.18 V TYP.Collector-base voltage VCBO -60 V

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技术参数
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2SA1385-Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SA1385-Z 数据手册

SMD Type

Transistors

Product specification

2SA1385-Z

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Features

Low V^CE(sat):V^CE(sat)=-0.18 V TYP.

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

V

-60

-60

V

-7

V

-5

A

Collector current pulse *

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I^CP

-7

10

A

PT

W

T^j

150

T^stg

-55 to +150

* PW 10ms, duty cycle 50%.

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain *

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

100

Typ

200

Max

Unit

ìA

V^CB= -50 V, I^E= 0

V^EB= -7 V, I^C= 0

V^CE= -1 V, I^C= -2 A

-10

-10

400

I^EBO

ìA

h^FE

Collector-emitter saturation voltage *

Base-emitter saturation voltage *

Gain bandwidth product

Turn-on time

V^CE(sat)I^C= -2 A, I^B= -0.2 A

V^BE(sat)I^C= -2 A, I^B= -0.2 A

-0.18 -0.3

-1.2

V

V

f^T

t^on

t^stg

t^f

V^CE= -10 V, I^C= -0.5 A

140

MHz

ìs

0.08

0.55

0.18

1.0

2.5

1.0

I^C= -2 A,I^B1=-I^B2= -0.2 A, R^L=50Ù,

V^CC=-10V

Storage time

ìs

Fall time

ìs

* PW 350ìs, duty cycle 2%.

hFE Classification

Marking

hFE

M

L

K

100 200

160 320

200 400

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1

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与2SA1385-Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1385-Z-AZ	NEC	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2	获取价格
2SA1385-Z-AZ	RENESAS	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR	获取价格
2SA1385-Z-E1	NEC	5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN	获取价格
2SA1385-Z-E2	NEC	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2	获取价格
2SA1385-ZK	NEC	BJT	获取价格
2SA1385-ZK	RENESAS	5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN	获取价格

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