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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.55 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.9 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1382(TPE6) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,2A I(C),TO-92VAR |
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| 2SA1382_09 | TOSHIBA |
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Power Amplifier Applications High-Speed Switching Applications |
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| 2SA1383 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1383 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1383 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1383Q | ISC |
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暂无描述 |
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| 2SA1384 | TYSEMI |
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High Voltage: VCBO = -300V , VCEO = -300V Complementary to 2SC3515 |
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| 2SA1384 | KEXIN |
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High Voltage Control Applications |
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| 2SA1384 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE CONTROL, PLASMA DISPLAY, NIXIE TYBE DRIVER , CATHODE RAY TUBE BRI |
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| 2SA1384_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Voltage Control Applications Plasma Display, Nixie Tube Driver Applications Cathode R |
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