2SA1381DSTU

更新时间： 2024-01-03 17:49:43

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	169K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1381DSTU 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.32
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1381DSTU 数据手册

Typical Characteristics

-20

-10

-8

I_B= -140µA

I_B= -60µA

I_B= -50µA

I_B= -120µA

-16

-12

-8

I_B= -100µA

I_B= -80µA

I_B= -40µA

I_B= -30µA

-6

I_B= -60µA

I_B= -40µA

-4

I_B= -20µA

I_B= -10µA

-4

I_B= -20µA

I_B= 0µA

-2

I_B= 0µA

-0

-2

-4

-6

-8

-10

-0

-20

-40

-60

-80

-100

V_CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

Figure 1. Static Characteristic

Figure 2. Static Characteristic

-10

100

I_C= 10 I_B

V_CE= -10V

V_BE(sat)

-1

V_CE(sat)

-0.1

-0.01

-0.1

-1

-10

-100

-0.1

-1

-10

-100

I_C[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 3. DC current Gain

Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

-160

1000

100

V_CE= -30V

V_CE= -10V

-140

-120

-100

-80

-60

-40

-20

-0

-0.1

-1

-10

-100

-1000

-0.0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1.0

-1.2

V_BE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE

I_C[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 5. Current Gain Bandwidth Product

Figure 6. Base-Emitter On Voltage

2SA1381/KSA1381 Rev. A1

www.fairchildsemi.com

1 234 5 6

下载PDF

与2SA1381DSTU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1381D-YA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 300V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-126	获取价格
2SA1381E-CD	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E-LS	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E-RA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格
2SA1381E-SA	ONSEMI	Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast	获取价格