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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-62 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 55 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 85 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1364-T13-1D | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-62, 3 |
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| 2SA1365 | TYSEMI |
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Low collector to emitter saturation voltage. High collector current. |
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| 2SA1365 | ISAHAYA |
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FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1365 | KEXIN |
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Silicon PNP Epitaxia |
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| 2SA1365 | FOSHAN |
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SOT-23 |
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| 2SA1365_10 | ISAHAYA |
获取价格 |
FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1365-12-1E | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1365-12-1F | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1365-12-1G | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1365AE | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
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