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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1365-T12-1E | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1366 | ISAHAYA |
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FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1366 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, PNP, Silicon, SC-59, 3 PIN |
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| 2SA1366_10 | ISAHAYA |
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FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1366-12-1E | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1366-12-1F | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1366D | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SA1366E | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SA1366F | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SA1366-T12-1D | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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