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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | HIGH CURRENT DRIVER | 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1365-12-1F | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1365-12-1G | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1365AE | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SA1365AF | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SA1365AG | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SA1365G | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SA1365-T12-1E | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1366 | ISAHAYA |
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FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1366 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, PNP, Silicon, SC-59, 3 PIN |
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| 2SA1366_10 | ISAHAYA |
获取价格 |
FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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