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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-59 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.4 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1366_10 | ISAHAYA |
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FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1366-12-1E | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1366-12-1F | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1366D | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SA1366E | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SA1366F | ISAHAYA |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SA1366-T12-1D | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1366-T12-1E | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1366-T12-1F | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1368 | ISAHAYA |
获取价格 |
FOR HIGH VOLTAGE DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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