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2SA1369

更新时间： 2024-02-20 04:24:43

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		信息通信管理 PC
页数	文件大小	规格书
3页	424K
描述
High Collector Current (ICM = -3A, IC = -1.5A) High Collector Dissipation PC = 500mW

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2SA1369 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA1369 数据手册

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SMD Type

Product specification

2SA1369

Features

High Collector Current (I^CM= -3A, I^C= -1.5A)

High Collector Dissipation PC = 500mW

Small Package For Mounting

Complementary to 2SC3439

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

IC

Rating

-30

Unit

V

-20

V

-6

V

Collector Current

-1.5

A

Peak Collector Current

Collector Power Dissipation

Jumction temperature

I^CM

-3

A

P^C

500

mW

T^j

+150

-55 to +150

Storage temperature Range

T^stg

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

-0.1

-0.1

Unit

ìA

ìA

V

Collector Cut-off Current

V^CB= -20V , I^E= 0

V^EB= -2V , I^C= 0

I^C= -1mA , R^BE=

Emitter Cut-off Current

I^EBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

V^(BR)CEO

-20

-30

-6

V^(BR)CBOI^C= -10ìA , I^E= 0

V^(BR)EBOI^E= -10ìA , I^C= 0

V

V

h^FE

V^CE= -6V , I^C= -500mA

400

1200

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

V^CE(sat)I^C= -1A , I^B= -20mA

-0.25 -0.5

V

fT

VCE = -10V , IE = 10mA

90

37

MHz

pF

Collector Output Capacitance

Cob

VCB = -10V , IE = 0 , f = 1MHz

hFE Classification

G

Marking

Rank

G

H

hFE

400

800

600

1200

1

http://www.twtysemi.com

1 of 3

sales@twtysemi.com

4008-318-123

12 3

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