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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1365_10 | ISAHAYA |
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FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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| 2SA1365-12-1E | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1365-12-1F | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1365-12-1G | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1365AE | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SA1365AF | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SA1365AG | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SA1365G | ISAHAYA |
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Transistor |
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| 2SA1365-T12-1E | MITSUBISHI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
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| 2SA1366 | ISAHAYA |
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FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
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