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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1203-Y
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2SA1203-Y

更新时间： 2024-11-18 12:54:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体音频放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 160K
描述
Audio Frequency Amplifier Applications

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2SA1203-Y 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-62
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.43
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1.5 A基于收集器的最大容量：50 pF
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：1 W最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzVCEsat-Max：2 V
Base Number Matches：1

2SA1203-Y 数据手册

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2SA1203  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1203  
Audio Frequency Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Suitable for output stage of 3 watts amplifier  
Small flat package  
= 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate)  
P
C
Complementary to 2SC2883  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−30  
−30  
−5  
V
V
V
A
A
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
I
−1.5  
−0.3  
500  
C
Base current  
I
B
P
P
C
C
PW-MINI  
JEDEC  
Collector power dissipation  
mW  
―
1000  
(Note 1)  
JEITA  
SC-62  
2-5K1A  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Weight: 0.05 g (typ.)  
Note 1: Mounted on a ceramic substrate (250 mm2 × 0.8 mm t)  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2011-01-19  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1203YTE12L TOSHIBA

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2SA1203YTE12R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1204 TYSEMI

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2SA1204 TOSHIBA

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