5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1204TE12L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| 2SA1204TE12R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| 2SA1204Y | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-89 |
|
| 2SA1204-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency Amplifier Applications |
|
| 2SA1204-Y(TE12L,C) | TOSHIBA |
获取价格 |
X35 POWER TRANSISTOR; PW-MINI |
|
| 2SA1205 | SANKEN |
获取价格 |
SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR |
|
| 2SA1205 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1205 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1205 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1205 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 160V 0.07A 3-Pin NP |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
