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2SA1205

更新时间: 2024-11-20 21:55:39
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2页 214K
描述
SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR

2SA1205 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69最大集电极电流 (IC):12 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):100 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):20 MHz
Base Number Matches:1

2SA1205 数据手册

 浏览型号2SA1205的Datasheet PDF文件第2页 
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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