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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-62 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 1 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1204-Y(TE12L,C) | TOSHIBA |
获取价格 |
X35 POWER TRANSISTOR; PW-MINI |
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| 2SA1205 | SANKEN |
获取价格 |
SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR |
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| 2SA1205 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1205 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1205 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SA1205 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 160V 0.07A 3-Pin NP |
|
| 2SA1206 | NEC |
获取价格 |
PNP SILICON TEANSISTOR |
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| 2SA1206 | NJSEMI |
获取价格 |
New Jersey Semi-Conductor Products, |
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| 2SA1206-A | RENESAS |
获取价格 |
2SA1206-A |
|
| 2SA1207 | NJSEMI |
获取价格 |
New Jersey Semi-Conductor Products, |
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