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2SA1204TE12L

更新时间： 2024-11-18 15:25:07

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	132K
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TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1204TE12L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.73
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
VCEsat-Max：	0.7 V	Base Number Matches：	1

2SA1204TE12L 数据手册

2SA1204

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

2SA1204

Audio Frequency Amplifier Applications

Unit: mm

•

High DC current gain: h

= 100 to 320

FE(1)

Suitable for output stage of 1 watts amplifier

Small flat package

= 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate)

Complementary to 2SC2884

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−35

−30

−5

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−800

−160

500

Base current

PW-MINI

JEDEC

―

Collector power dissipation

1000

JEITA

SC-62

2-5K1A

(Note 1)

TOSHIBA

Junction temperature

150

°C

Storage temperature range

stg

−55 to 150

Weight: 0.05 g (typ.)

Note 1: Mounted on a ceramic substrate (250 mm²× 0.8 mm t)

Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2011-02-04

12 3 4

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与2SA1204TE12L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1204TE12R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
2SA1204Y	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SOT-89
2SA1204-Y	TOSHIBA	获取价格	Audio Frequency Amplifier Applications
2SA1204-Y(TE12L,C)	TOSHIBA	获取价格	X35 POWER TRANSISTOR; PW-MINI
2SA1205	SANKEN	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR
2SA1205	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1205	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1205	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA1205	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT PNP 160V 0.07A 3-Pin NP
2SA1206	NEC	获取价格	PNP SILICON TEANSISTOR

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