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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA1048L-Y
2SA1048L-Y PDF预览

2SA1048L-Y

更新时间： 2024-09-16 13:04:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体音频放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 397K
描述
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1048L-Y 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.65其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.15 A基于收集器的最大容量：7 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

2SA1048L-Y 数据手册

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2SA1048  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1048  
Audio Frequency Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
•
Small package  
High voltage: V  
= −50 V (min)  
CEO  
High h  
h
= 70~400  
FE: FE  
Excellent h  
linearity: h  
(I = −0.1 mA)/h  
(I = −2 mA) = 0.95 (typ.)  
FE C  
FE  
FE  
C
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
Complementary to 2SC2458  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
−5  
V
I
−150  
−50  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
JEDEC  
JEITA  
―
―
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
200  
C
T
j
125  
T
stg  
−55~125  
TOSHIBA  
2-4E1A  
Weight: 0.13 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature,  
etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods” ) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= −50 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
−0.1  
−0.1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= −5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
(Note)  
DC current gain  
V
= −6 V, I = −2 mA  
70  
⎯
400  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= −100 mA, I = −10 mA  
⎯
80  
⎯
−0.1  
⎯
−0.3  
⎯
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= −10 V, I = −1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
4
7
ob  
E
= −6 V, I = −0.1 mA, f = 1 kHz,  
C
Noise figure  
NF  
⎯
1.0  
10  
dB  
R
= 10 kΩ  
G
Note: h classification O: 70~140, Y: 120~240, GR: 200~400  
FE  
1
2007-11-01  
123

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与2SA1048L-Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1048O ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SPAK
2SA1048-O TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purp
2SA1048Y ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SPAK
2SA1048-Y TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purp
2SA1048-Y(TPE4) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA1048-Y-AP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1048-Y-AP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1048-Y-BP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1048-Y-BP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SA1049 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS)

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