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2SA1049-GR

更新时间： 2024-01-23 02:57:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 188K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1049-GR 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：2-4E1A, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.5其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

2SA1049-GR 数据手册

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2SA1049  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SA1049  
Audio Frequency Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
•
Small package.  
High breakdown voltage: V  
= −120 V  
CEO  
High h  
h
= 200~700  
linearity: h  
FE: FE  
Excellent h  
(I = −0.1 mA)/h  
(I = −2 mA) = 0.95 (typ.)  
FE C  
FE  
FE  
C
Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)  
Complementary to 2SC2459.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−120  
−120  
−5  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
I
−100  
−20  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
B
JEDEC  
JEITA  
―
―
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
200  
C
T
j
125  
TOSHIBA  
2-4E1A  
T
stg  
−55~125  
Weight: 0.13 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= −120 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
V
V
⎯
⎯
⎯
⎯
−0.1  
−0.1  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= −5 V, I = 0  
C
EBO  
h
FE  
(Note)  
DC current gain  
V
= −6 V, I = −2 mA  
200  
⎯
700  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
= −10 mA, I = −1 mA  
⎯
⎯
⎯
⎯
100  
4
−0.3  
⎯
V
CE (sat)  
C
B
f
V
V
V
= −6 V, I = −1 mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
Collector output capacitance  
C
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
⎯
ob  
E
= −6 V, I = −0.1 mA  
C
Noise figure  
NF  
⎯
1.0  
10  
dB  
f = 1 kHz, R = 10 kΩ  
G
Note: h classification GR: 200~400, BL: 350~700  
FE  
1
2007-11-01  
123

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