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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | 2-4E1A, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.5 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1049GR | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
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| 2SA1049-GR | TOSHIBA | TRANSISTOR 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SA1050 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1050 | JMNIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1050 | ISC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SA1050 | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin MPAK |
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