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2PD601ART

更新时间： 2024-11-16 11:13:31

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	242K
描述
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistorProduction

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2PD601ART 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	210	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2PD601ART 数据手册

2PD601ART

50 V, 100 mA NPN general-purpose transistor

1 January 2023

Product data sheet

1. General description

NPN general-purpose transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

PNP complement: 2PB709ART

2. Features and benefits

•

General-purpose transistor

•

Small SMD plastic package

3. Applications

•

General-purpose switching and amplification

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_C

collector current

DC current gain

100

340

h_FE

V_CE= 10 V; I_C= 2 mA; T_amb= 25 °C

210

12 3 4 5 6 7...10

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