Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2PD601ASL/DG

2PD601ASL/DG

更新时间： 2024-11-15 06:24:23

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	56K
描述
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

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2PD601ASL/DG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.14	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	290
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2PD601ASL/DG 数据手册

2PD601ARL; 2PD601ASL

50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

Rev. 01 — 6 November 2008

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number^[1]

Package

NXP

PNP complement

JEDEC

2PD601ARL

SOT23

TO-236AB

2PB709ARL

2PD601ASL

2PB709ASL

2PD601ARL/DG

2PD601ASL/DG

SOT23

TO-236AB

2PB709ARL/DG

2PB709ASL/DG

[1] /DG: halogen-free.

1.2 Features

I General-purpose transistors

I Two current gain selections

I AEC-Q101 qualiﬁed

I Small SMD plastic package

1.3 Applications

I General-purpose switching and ampliﬁcation

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

V_CEO

I_C

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

collector-emitter voltage

collector current

open base

100

h_FE

DC current gain

V_CE= 10 V;

I_C= 2 mA

h_FEgroup R

h_FEgroup S

210

290

340

460

12 3 4 5 6 7...9

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2PD601ASL/DG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2PD601ASL	NXP	完全替代	50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
2PD601ASW,115	NXP	类似代替	2PD601A series - NPN general purpose transistors; 50 V, 100 mA SC-70 3-Pin
2PD601AS	NXP	类似代替	NPN general purpose transistor

与2PD601ASL/DG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2PD601ASW	KEXIN	获取价格	NPN General Purpose Transistor
2PD601ASW	NXP	获取价格	NPN general purpose transistor
2PD601ASW	TYSEMI	获取价格	High collector current (max. 100 mA) Low collector-emitter saturation voltage (max. 500 mV
2PD601ASW	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN general purpose transistorProduction
2PD601ASW	BL Galaxy Electrical	获取价格	50V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
2PD601ASW,115	NXP	获取价格	2PD601A series - NPN general purpose transistors; 50 V, 100 mA SC-70 3-Pin
2PD601ASW-Q	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN general purpose transistorProduction
2PD601AW	TYSEMI	获取价格	High collector current (max. 100 mA) Low collector-emitter saturation voltage (max. 500 mV
2PD601AW	NXP	获取价格	NPN general purpose transistor
2PD601AW	BL Galaxy Electrical	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

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