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2PD601S

更新时间: 2024-10-31 05:33:35
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恩智浦 - NXP /
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3页 61K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

2PD601S 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.66
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:3.5 pF
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):90JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):140 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

2PD601S 数据手册

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