5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | PLASTIC, SC-59A, TO-236, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.12 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 290 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2PD601AS,115 | NXP |
类似代替  |
2PD601A series - NPN general purpose transistors; 50 V, 100 mA SMT 3-Pin |
|
| 2PD601ASW,115 | NXP |
类似代替 |
2PD601A series - NPN general purpose transistors; 50 V, 100 mA SC-70 3-Pin |
|
| 2PD601ASL | NXP |
类似代替 |
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2PD601AS,115 | NXP |
获取价格 |
2PD601A series - NPN general purpose transistors; 50 V, 100 mA SMT 3-Pin |
|
| 2PD601ASL | NXP |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors |
|
| 2PD601ASL | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistorsProduction |
|
| 2PD601ASL,215 | NXP |
获取价格 |
2PD601ARL; 2PD601ASL - 50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin |
|
| 2PD601ASL,235 | NXP |
获取价格 |
2PD601ARL; 2PD601ASL - 50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin |
|
| 2PD601ASL/DG | NXP |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors |
|
| 2PD601ASW | KEXIN |
获取价格 |
NPN General Purpose Transistor |
|
| 2PD601ASW | NXP |
获取价格 |
NPN general purpose transistor |
|
| 2PD601ASW | TYSEMI |
获取价格 |
High collector current (max. 100 mA) Low collector-emitter saturation voltage (max. 500 mV |
|
| 2PD601ASW | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN general purpose transistorProduction |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
