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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A | 最大漏极电流 (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AE | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 300 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 1200 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 1050 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7328R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-204AE |
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| 2N7329 | RENESAS |
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30A, 100V, 0.095ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
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| 2N7329D | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-258 |
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| 2N7329H | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-258 |
|
| 2N7329R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-258 |
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| 2N7330 | RENESAS |
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26A, 200V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
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| 2N7330D | RENESAS |
获取价格 |
26A, 200V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
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| 2N7330H | RENESAS |
获取价格 |
26A, 200V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
|
| 2N7330R | RENESAS |
获取价格 |
26A, 200V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
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| 2N7331 | RENESAS |
获取价格 |
19A, 200V, 0.21ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
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