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2N7219

更新时间： 2024-11-20 22:35:55

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N?CHANNEL POWER MOSFET

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2N7219 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-MSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7219 数据手册

IRFM240

2N7219

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

POWER MOSFET

13.59 (0.535)

13.84 (0.545)

6.32 (0.249)

6.60 (0.260)

3.53 (0.139)

Dia.

1.02 (0.040)

1.27 (0.050)

3.78 (0.149)

V_DSS

200V

18A

I_D(cont)

R_DS(on)

Ω

0.18

FEATURES

• N–CHANNEL MOSFET

• HIGH VOLTAGE

0.89 (0.035)

1.14 (0.045)

• HERMETIC ISOLATED TO-254 PACKAGE

• ELECTRICALLY ISOLATED

3.81 (0.150)

BSC

3.81 (0.150)

BSC

TO–254AA – Isolated Metal Package

Pin 1 – Drain

Pin 2 – Source

Pin 3 – Gate

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Gate – Source Voltage

±20V

18A

Continuous Drain Current

@ V = 10V , T = 25°C

GS C

@ V = 10V , T = 100°C

11A

Pulsed Drain Current

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

72A

125W

1.0W / °C

5.0V / ns

1.0°C / W

48°C / W

–55 to 150°C

300°C

@ T = 25°C

Avalanche Current

dv / dt

Peak Diode Recovery

Thermal Resistance Junction – Case

Thermal Resistance Junction – Ambient

θJC

θJA

T , T

Operating Junction and Storage Temperature Range

Lead Temperature (1.6mm from case for 10s)

STG

= 50V , Starting T = 25°C , L ≥ 1.3mH , V = 10V , Peak I = 18A

DD GS L

≤ 18A , di/dt ≤ 150A / µS , V ≤ 200V , T ≤ 150°C

DD J

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Document Number 4145

Issue 1

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

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2N7219 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N7225	INFINEON	功能相似	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM250	INFINEON	功能相似	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM240	INFINEON	功能相似	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

与2N7219相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7219DPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2N7219PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2N721A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| TO-18
2N722	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package
2N722	RAYTHEON	获取价格	Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches
2N7221	ETC	获取价格	JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-254AA PACKAGE
2N7221D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7221DPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7221PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7222	ETC	获取价格	JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-254AA PACKAGE

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