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2N7222DPBF

更新时间: 2024-02-10 05:06:21
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英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 226K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

2N7222DPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.67
雪崩能效等级(Eas):700 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (ID):8 A最大漏源导通电阻:0.95 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-254AA
JESD-30 代码:R-MSFM-P3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:125 W最大脉冲漏极电流 (IDM):32 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):123 ns
最大开启时间(吨):94 nsBase Number Matches:1

2N7222DPBF 数据手册

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