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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.66 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 650 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 137 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 117 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7221PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7222 | ETC |
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JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-254AA PACKAGE |
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| 2N7222D | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7222DPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7222U | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7224 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED |
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| 2N7224 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N7224 | SENSITRON |
获取价格 |
HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL |
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| 2N7224 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N72241N6036 | MICROSEMI |
获取价格 |
1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR Qualified per MIL-PRF-19500/507 |
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