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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N722 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
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| 2N722 | RAYTHEON |
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Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N7221 | ETC |
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JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-254AA PACKAGE |
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| 2N7221D | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7221DPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7221PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7222 | ETC |
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JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-254AA PACKAGE |
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| 2N7222D | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7222DPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7222U | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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