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2N7002BKS,115

更新时间： 2024-02-29 23:46:35

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
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16页	158K
描述
2N7002BKS - 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET TSSOP 6-Pin

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技术参数
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2N7002BKS,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSSOP	包装说明：	PLASTIC, SC-88, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.54
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	1.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002BKS,115 数据手册

2N7002BKS

NXP Semiconductors

60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET

017aaa056

(A)

Limit R

= V /I

DS D

DSon

(1)

(2)

−1

(3)

(4)

(5)

−2

(6)

−3

−1

(V)

_DM= single pulse

(1) t_p= 100 μs

(2) t_p= 1 ms

(3) t_p= 10 ms

(4) DC; T_sp= 25 °C

(5) t_p= 100 ms

(6) DC; T_amb= 25 °C; drain mounting pad 1 cm²

Fig 3. Safe operating area; junction to ambient; continuous and peak drain currents as a function of

drain-source voltage

6. Thermal characteristics

Table 6.

Symbol

Thermal characteristics

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

Per transistor

[1]

[2]

R_th(j-a)

thermal resistance from

junction to ambient

in free air

370

320

425

370

120

K/W

R_th(j-sp)

thermal resistance from

junction to solder point

Per device

[1]

R_th(j-a)

thermal resistance from

junction to ambient

in free air

275

K/W

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.

[2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

2N7002BKS

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Product data sheet

Rev. 2 — 23 September 2010

4 of 16

1 2 345 6 7...16

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