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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N7002
2N7002 PDF预览

2N7002

更新时间： 2024-11-20 22:12:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 83K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET

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2N7002 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.115 A最大漏极电流 (ID)：0.115 A
最大漏源导通电阻：7.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7002 数据手册

 浏览型号2N7002的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
2N7002  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
MOSFET  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N7002  
type is a N-Channel Field Effect Transistor,  
manufactured by the N-Channel DMOS  
Process, designed for high speed pulsed  
amplifier and driver applications.  
Marking Code is 702.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
V
V
Drain-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current (T =25 C)  
Continuous Drain Current (T =100 C)  
C
V
V
V
I
60  
60  
40  
115  
75  
115  
800  
800  
350  
DS  
DG  
GS  
V
o
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
C
D
o
I
I
I
I
D
S
DM  
SM  
D
Continuous Source Current (Body Diode)  
Maximum Pulsed Drain Current  
Maximum Pulsed Source Current  
Power Dissipation  
P
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
J stg  
JA  
-55 to +150  
357  
C
C/W  
o
Θ
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
100  
-100  
1.0  
UNITS  
nA  
nA  
µA  
µA  
mA  
V
I
I
I
I
V
V
V
V
V
=20V  
=-20V  
GSSF  
GSSR  
DSS  
DSS  
D(ON)  
DSS  
GS(th)  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
=60V, V =0  
=60V, V =0, T =125 C  
GS  
GS  
o
500  
A
I
≥ 2V  
, V =10V  
500  
60  
1.0  
DS(ON) GS  
BV  
V
V
V
I =10µA  
105  
2.1  
D
V
V
V
V
=V , I =250µA  
2.5  
3.75  
1.5  
V
V
V
Ω
DS GS D  
=10V, I =500mA  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
D
=5.0V, I =50mA  
D
r
=10V, I =500mA  
D
3.7  
7.5  
DS(ON)  
56  
12

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2N7002 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSS123-7-F DIODES

功能相似

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002LT1G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
BSS123LT1G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts

与2N7002相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7002,215 NXP

获取价格

 		2N7002 - 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin
2N7002/D87Z TI

获取价格

 		115mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/E8 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7002/L99Z TI

获取价格

 		115mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/S62Z TI

获取价格

 		115mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3,
2N7002_ DIODES

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002_04 SUPERTEX

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002_07 SUPERTEX

获取价格

 		N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7002_07 PANJIT

获取价格

 		60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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