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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7000D29Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N7000D74Z | FAIRCHILD |
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TRANSISTOR 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, FET General Purpose S |
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| 2N7000-D74Z | ONSEMI |
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N沟道增强模式场效应晶体管60V，200mA，5Ω |
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| 2N7000D75Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N7000-D75Z | ONSEMI |
获取价格 |
N沟道增强模式场效应晶体管60V，200mA，5Ω |
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| 2N7000D81Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N7000D89Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N7000G | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET |
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| 2N7000G | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS |
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| 2N7000-G | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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