2N7000-G

更新时间： 2024-11-17 02:57:19

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超科 - SUPERTEX		晶体小信号场效应晶体管开关输入元件
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5页	524K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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2N7000-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.34	其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7000-G 数据手册

2N7000

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Features

General Description

► Free from secondary breakdown

► Low power drive requirement

► Ease of paralleling

► Low C_ISSand fast switching speeds

► Excellent thermal stability

► Integral Source-Drain diode

► High input impedance and high gain

► Complementary N- and P-Channel devices

The Supertex 2N7000 is an enhancement-mode (normally-

off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure

and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing

process. This combination produces a device with the

power handling capabilities of bipolar transistors, and the

high input impedance and positive temperature coefﬁcient

inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS

structures, this device is free from thermal runaway and

thermally-induced secondary breakdown.

Applications

► Motor controls

► Converters

► Ampliﬁers

► Switches

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications where

very low threshold voltage, high breakdown voltage, high

input impedance, low input capacitance, and fast switching

speeds are desired.

► Power supply circuits

► Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps,

memories, displays, bipolar transistors, etc.)

Ordering Information

R_DS(ON)

(max)

(Ω)

I_D(ON)

BV_DSS/BV_DGS

Device

Package

(min)

(mA)

(V)

2N7000

TO-92

5.0

2N7000-G

-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Pin Conﬁguration

Value

BV_DSS

BV_DGS

±±0V

Drain to source voltage

Drain to gate voltage

Gate to source voltage

Operating and storage temperature

Soldering temperature¹

-55°C to +150°C

+±00°C

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device

may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous

operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All

voltages are referenced to device ground.

S G D

TO-92

(front view)

Notes:

1. Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.

12 3 4 5

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2N7000-G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBF170	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2N7000-GP002	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7000-GP003	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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2N7000-GP013	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
2N7000-GP013	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7000-GPO14	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7000G-T92-B	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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