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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N7000KL-TR1
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2N7000KL-TR1

更新时间： 2024-11-19 21:53:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 74K
描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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2N7000KL-TR1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.88
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.47 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N7000KL-TR1 数据手册

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2N7000KL/BS170KL  
New Product  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
D ESD Protected: 2000 V  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
VGS(th) (V)  
ID (A)  
0.47  
2 @ V = 10 V  
GS  
60  
1.0 to 2.5  
D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS  
D Soild State Relays  
4 @ V = 4.5 V  
0.33  
GS  
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,  
Displays, Memories, Transistors, etc.  
D Battery Operated Systems  
TO-226AA  
(TO-92)  
TO-92-18RM  
(TO-18 Lead Form)  
D
1
1
Device Marking  
S
G
D
D
Device Marking  
Front View  
Front View  
100 W  
G
“S” 2N  
7000KL  
xxyy  
“S” BS  
G
S
2
2
170KL  
xxyy  
“S” = Siliconix Logo  
xxyy = Date Code  
“S” = Siliconix Logo  
xxyy = Date Code  
3
3
Top View  
Top View  
S
Ordering Information: 2N7000KL-TR1  
Ordering Information: BS170KL-TR1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
60  
"20  
0.47  
DS  
GS  
V
T
= 25_C  
A
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T = 70_C  
A
0.37  
A
a
Pulsed Drain Current  
I
1.0  
DM  
T
= 25_C  
= 70_C  
0.8  
A
Power Dissipation  
P
W
D
T
A
0.51  
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
156  
_C/W  
_C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to 150  
stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 72705  
S-40247—Rev. A, 16-Feb-04  
www.vishay.com  
1
1234

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与2N7000KL-TR1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N7000KL-TR1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.47A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2N7000L VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N7000L18 VISHAY

获取价格

 		200mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
2N7000L-18 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N7000L18-1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N7000L18-2 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N7000L-1TA VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N7000L-2TA VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N7000L34Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2N7000L-T92-B UTC

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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