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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.56 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JEDEC-95代码： | TO-226AA |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N7000L-18 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N7000L18-1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N7000L18-2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N7000L-1TA | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N7000L-2TA | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N7000L34Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N7000L-T92-B | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| 2N7000L-T92-K | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| 2N7000L-T92-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| 2N7000LTR | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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