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2N6306

更新时间： 2024-09-16 22:35:51

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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2N6306 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.05
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/498	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5 MHz	Base Number Matches：	1

2N6306 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 498

Devices

Qualified Level

JAN

2N6306

2N6308

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

2N6306 2N6308

Ratings

Symbol

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

250

500

350

700

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Vdc

8.0

Vdc

Adc

Base Current

4.0

125

62.5

Adc

⁰C

I_B

Total Power Dissipation

@ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽¹⁾

P_T

Operating & Storage Temperature Range

1) Between T_C= +25⁰C and T_C= +175⁰C, linear derating factor average = 0.833 W/⁰C

TO-3 (TO-204AA)*

-65 to +200

T_op,

stg

*See Appendix A for Package

Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N6306

2N6308

V_(BR)

250

350

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 500 Vdc; V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 700 Vdc; V_BE= 1.5 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 250 Vdc

V_CE= 350 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 8 Vdc

2N6306

2N6308

I_CEX

mAdc

5.0

2N6306

2N6308

I_CEO

mAdc

I_EBO

5.0

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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