是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-204AA |
包装说明: | TO-3, 2 PIN | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.12 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 8 A |
集电极-发射极最大电压: | 350 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 12 | JEDEC-95代码: | TO-3 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 5 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6308LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 | |
2N6308M | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 350V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | |
2N6312 | CENTRAL |
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Power Transistors | |
2N6312 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors | |
2N6312 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 | |
2N6312 | BOCA |
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COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS | |
2N6312 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 40V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve | |
2N6312LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 | |
2N6312PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, | |
2N6312TIN/LEAD | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |