5秒后页面跳转
2N6308 PDF预览

2N6308

更新时间: 2024-11-06 22:35:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
1页 66K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

2N6308 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-204AA
包装说明:TO-3, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.12Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:350 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):12JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):125 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):5 MHzBase Number Matches:1

2N6308 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

与2N6308相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6308LEADFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述
2N6308M NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT NPN 350V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3
2N6312 CENTRAL

获取价格

Power Transistors
2N6312 SAVANTIC

获取价格

Silicon PNP Power Transistors
2N6312 SEME-LAB

获取价格

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66
2N6312 BOCA

获取价格

COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS
2N6312 NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT PNP 40V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve
2N6312LEADFREE CENTRAL

获取价格

暂无描述
2N6312PBFREE CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor,
2N6312TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

Power Bipolar Transistor,