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2N6314

更新时间： 2024-01-26 14:08:02

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	116K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N6314 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.91	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	基于收集器的最大容量：	300 pF
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	4	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
VCEsat-Max：	4 V

2N6314 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2N6312 2N6313 2N6314

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Low collector saturation voltage

·Low leakage current

APPLICATIONS

·Designed for general-purpose power

amplifier and switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-40

UNIT

2N6312

2N6313

2N6314

2N6312

2N6313

2N6314

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

-60

-80

-40

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

-60

-80

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-5

ꢀ

-5

Collector current-peak

Base current

-10

-2

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

200

-65~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

2.32

ꢀ/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6314LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2	获取价格
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