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2N6312PBFREE

更新时间: 2024-11-07 13:00:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
Power Bipolar Transistor,

2N6312PBFREE 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68JESD-609代码:e3
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

2N6312PBFREE 数据手册

  
Power Transistors  
TO-66 Case  
TYPE NO.  
I
P
BV  
BV  
h
@ I  
V
@ I  
f
T
C
D
CBO  
CEO  
FE  
MIN MAX  
C
CE(SAT)  
(V)  
C
(A)  
(W)  
(V)  
(V)  
(A)  
(A)  
(MHz)  
MIN  
NPN  
PNP  
MAX  
MIN  
MIN  
MAX  
2N3054  
2N3054A  
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2N3584  
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2N3738  
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4.0  
4.0  
2.0  
2.0  
2.0  
1.0  
1.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
3.0  
5.0  
3.0  
5.0  
3.0  
5.0  
2.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
7.0  
7.0  
7.0  
7.0  
1.0  
1.0  
1.0  
4.0  
4.0  
3.0  
4.0  
4.0  
8.0  
8.0  
7.0  
7.0  
6.0  
6.0  
6.0  
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1.0  
4.0  
4.0  
4.0  
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75  
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35  
35  
20  
20  
25  
25  
25  
25  
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20  
35  
75  
35  
75  
35  
75  
35  
20  
20  
20  
25  
25  
25  
40  
40  
40  
40  
35  
35  
35  
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20  
50  
50  
75  
75  
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90  
40  
40  
40  
20  
20  
40  
40  
29  
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90  
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55  
25  
25  
40  
40  
40  
40  
40  
30  
30  
30  
30  
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40  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
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25  
50  
20  
20  
20  
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60  
30  
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10  
10  
10  
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25  
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150  
150  
- -  
0.5  
0.5  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
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0.25  
0.25  
0.25  
0.5  
0.5  
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1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
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0.05  
0.05  
0.5  
0.5  
0.5  
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2.0  
2.0  
2.0  
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0.75  
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2.5  
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0.6  
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0.9  
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0.6  
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2.0  
2.0  
2.0  
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1.0  
1.0  
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1.0  
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2.5  
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1.0  
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0.5  
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0.8  
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- -  
1.0  
1.0  
10  
- -  
10  
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200  
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150  
150  
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160  
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- -  
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0.25  
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CM3441  
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Shaded areas indicate Darlington.  
86  
www.centralsemi.com  

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2N6314 CENTRAL

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