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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 元件数量： | 1 | 极性/信道类型： | NPN |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 5 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6307-BP | MCC |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6307LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N6307M | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 300V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| 2N6308 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N6308 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6308 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6308 | NJSEMI |
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HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6308 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6308 | CENTRAL |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6308LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
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