2N6308

更新时间： 2024-02-24 17:00:31

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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2N6308 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	380 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6308 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 498

Devices

Qualified Level

JAN

2N6306

2N6308

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

2N6306 2N6308

Ratings

Symbol

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

250

500

350

700

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Vdc

8.0

Vdc

Adc

Base Current

4.0

125

62.5

Adc

⁰C

I_B

Total Power Dissipation

@ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽¹⁾

P_T

Operating & Storage Temperature Range

1) Between T_C= +25⁰C and T_C= +175⁰C, linear derating factor average = 0.833 W/⁰C

TO-3 (TO-204AA)*

-65 to +200

T_op,

stg

*See Appendix A for Package

Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N6306

2N6308

V_(BR)

250

350

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 500 Vdc; V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 700 Vdc; V_BE= 1.5 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 250 Vdc

V_CE= 350 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 8 Vdc

2N6306

2N6308

I_CEX

mAdc

5.0

2N6306

2N6308

I_CEO

mAdc

I_EBO

5.0

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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