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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6304 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| 2N6304 | ADPOW |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| 2N6304 | NJSEMI |
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BIPOLAR NPN UHF/MICROWAVE TRANSISTOR |
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| 2N6305 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-72 |
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| 2N6306 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6306 | CENTRAL |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6306 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6306 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N6306 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6306 | NJSEMI |
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HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
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