是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.17 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 120 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 40 | JEDEC-95代码: | TO-205AD |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 30 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6304 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
2N6304 | ADPOW |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
2N6304 | NJSEMI |
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BIPOLAR NPN UHF/MICROWAVE TRANSISTOR | |
2N6305 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-72 | |
2N6306 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
2N6306 | CENTRAL |
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NPN SILICON TRANSISTOR | |
2N6306 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6306 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 | |
2N6306 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2N6306 | NJSEMI |
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HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORS |