是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.14 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 2 A | 集电极-发射极最大电压: | 300 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 10 |
JEDEC-95代码: | TO-213AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
功耗环境最大值: | 35 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 20 MHz |
最大关闭时间(toff): | 3100 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N6212E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal | |
2N6212LEADFREE | CENTRAL |
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暂无描述 | |
2N6212PBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 | |
2N6213 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(2A, 35W) | |
2N6213 | BOCA |
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MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTORS | |
2N6213 | CENTRAL |
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Power Transistors | |
2N6213 | MICROSEMI |
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PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR | |
2N6213 | NJSEMI |
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SI PNP POWER BJT | |
2N6213E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-213AA, Metal | |
2N6214 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 400V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66 |